采用 ABACUS 进行表面计算(五):外加电场

作者:刘裕,邮箱:liuyu@stu.pku.edu.cn

审核:陈默涵,邮箱:mohanchen@pku.edu.cn

最后更新时间:2023/08/28

一、介绍

电场是电荷及变化磁场周围空间里存在的一种特殊物质。这种物质与通常的实物不同,它虽然不是由分子原子所构成的,但它却是客观存在的特殊物质,具有通常物质所具有的力和能量等客观属性。许多材料在外加电场作用下会表现出不同寻常的性质,例如:铁电体在外加电场的作用下会产生电极化,也可以通过施加的电场来控制磁性和自发极化,因此在信息储存和传输中有广泛应用;二维材料(如石墨烯)在外加电场下表现出不同的电子性质和可控制的物理性质,这种特性使其具有在电子学领域的广泛应用前景。在电子结构计算中,周期性边界条件下对体系施加电场较为容易,而施加磁场则困难很多。

因此,外加电场是密度泛函理论(Density Functional Theory,简称 DFT)软件中可以被实现且重要的功能。ABACUS 中实现了在表面体系中外加恒定电场的功能[1]。注意,在 ABACUS 中,外加电场功能存在相应的原子受力的修正,可以用于平面波(Plane-Wave)基组和数值原子轨道(Numerical Atomic Orbitals)基组计算,但注意该功能只能用于带真空层的表面体系。

本教程中将会展示如何在 ABACUS 计算中使用加电场功能,为使得这个教程较为有趣,我们举一个半金属二维材料 nanoribbon(见图 1)加电场产生半金属的例子来讲解如何给体系添加电场,该 DFT 的计算工作曾发在 2006 年的 Nature 杂志上,具体可参考文献[2]。在这个教程里,我们使用的是数值原子轨道基矢量(Numerical Atomic Orbitals),碳和氢的轨道半径都是 8 a.u.,但实际上也可以使用平面波基矢量,只是前者效率更高所以在这里采用。我们还会使用到电子的自洽场(self-consistent field,简称 SCF)计算,非自洽计算(non-self-consistent field,简称 NSCF),自旋非极化和极化计算等概念。在不考虑自旋时(即设置 nspin=1 时),计算出的能带图中没有带隙,为金属;考虑自旋之后,带隙打开,成为半导体;在自旋极化基础上,外加恒定电场之后,其中一个自旋表现为半导体,另一个自旋则为金属。

Nanoribbon结构图,黑框代表超胞大小,有真空。超胞里包含32个碳原子(棕色),超胞里接触真空的2个碳原子(每个表面一个碳原子)被2个氢原子(白色)饱和。
图 1. Nanoribbon结构图,黑框代表超胞大小,有真空。超胞里包含32个碳原子(棕色),超胞里接触真空的2个碳原子(每个表面一个碳原子)被2个氢原子(白色)饱和。

二、软件和算例准备

ABACUS 里关于外加电场的线上文档地址为:

http://abacus.deepmodeling.com/en/latest/advanced/scf/advanced.html#external-electric-field

ABACUS 里关于外加电场参数的线上文档地址为:https://abacus.deepmodeling.com/en/latest/advanced/input_files/input-main.html#electric-field-and-dipole-correction

ABACUS 的外加电场算例下载地址为(gitee):

https://gitee.com/MCresearch/abacus-user-guide/tree/master/examples/electric_field/

可以采用的下载命令是:

git clone https://gitee.com/MCresearch/abacus-user-guide

下载后解压,之后进入 /abacus-user-guide/examples/``electric_field 目录

或者采用 Github 仓库地址:

https://github.com/MCresearch/abacus-user-guide

三、采用加电场进行二维材料的能带计算

该算例中含有六个文件夹,解释如下:

1_unspin_scf:做非自旋极化(INPUT 文件中的 nspin 设为 1)的自洽场迭代 SCF 计算(INPUT 文件中的 calculation 设为 scf),输出自洽迭代之后的电子密度(将 INPUT 中的 out_chg 设为 1),注意二维材料的 KPT 文件,因为超胞大小是 102.459512146645 Å^3,所以对应的布里渊区 k 点取的是 1101,因为实空间周期长度小的方向对应的布里渊区大,所以需要取更多 k 点得到收敛结果。

2_unspin_band: 采用非自洽计算 NSCF(INPUT 文件中的 calculation 设为 nscf),读入上一个步骤输出的电荷密度(INPUT 文件中的 init_chg 设为 file),从而可以读入体系的基态电荷密度进行能带计算。

3_spin_scf:同 1_unspin_scf 的计算,只是把 nspin 设为 2。

4_spin_band:同 2_unspin_band 的计算,只是把 nspin 设为 2。

5_spin_elec_scf:同 3_spin_scf 的计算,只是又外加了电场的参数。

6_spin_elec_band:同 4_spin_band 的计算,只是又外加了电场的参数。

以下是算例 5 的输入文件(包含电场参数):

INPUT_PARAMETERS
#Parameters (General)
suffix                nanoribbon
calculation           scf
nbands                70
nspin                 2
pseudo_dir            ../../PP_ORB
orbital_dir           ../../PP_ORB

#Parameters (Basis)
basis_type            lcao

#Parameters (Accuracy)
ecutwfc               100
scf_thr               1e-6
scf_nmax              200

#Parameters (Smearing)
smearing_method       gaussian
smearing_sigma        0.001

#Parameters (Charge mixing)
mixing_type           pulay
mixing_beta           0.1
mixing_ndim           20
mixing_gg0            1.5

#Parameters (Efield)
efield_flag           1
efield_dir            2
efield_amp            0.0019440124
efield_pos_max        0.95
efield_pos_dec        0.10

以算例提供的 INPUT 文件为例,使用外加电场功能只需添加如下参数即可:

  • efield_flag:类型是 Bool,指定外加电场的开(1)或者关(0),默认值为 0
  • efield_dir:类型是 Int,外加电场方向,可取 0,1,2 分别表示 x,y,z 方向,默认值为 2
  • efield_pos_max:类型是 Real,锯齿状电势最大值所在分数坐标,范围[0,1),默认值为 0.5
  • efield_pos_dec:类型是 Real,锯齿状电势从最大值到最小值的长度(同样以分数坐标为度量),默认值为 0.1,范围[0,1)。以图2为例,0.5 是最大值,0.6 是最小值,那么 0.5 ~ 0.6 的区域必须放置在没有原子的真空层中,注意这个例子设置的是 0.95 到 0.10 为电场区间。
锯齿状势场分布图
图 2. 锯齿状势场分布图
  • efield_amp:类型是 Real,电场强度,默认值为 0,单位为 a.u.,其中 1 a.u. = 51.4220632*10^10 V/m

以上参数的使用方法在采用 ABACUS 进行表面计算(二):偶极修正中有更详细的说明。

四、预期计算结果

  • 运行完算例 2_unspin_band 后会通过非自洽计算得到体系非自旋极化能带图,横坐标是对二维材料布里渊区取 k 点,从 Gamma 点(坐标为 0 0 0)取到点(坐标为 0 0.5 0),取了 100 个 k 点算出来的能带图;纵坐标是能级,将费米面设置为 0,取了费米面附近 2 eV 的能量区间画出能带。以下两张图是同样取法。
  • 运行完算例 4_spin_band 后会得到非自洽计算得到的自旋极化能带图(图 3)。
  • 运行完算例 6_spin_elec_band 后会得到自旋极化加电场的能带图(图 4),注意这里所加的电场为 0.1 V/Å,由输入文件 INPUT 中的 efield_amp 设置,但 efield_amp 的单位是 a.u.,需要换算。
采用PBE交换关联泛函和非自旋极化得到的二维nanoribbon的能带图,可以看出费米面附近CBM(Conduction Band Minimum)和VBM(Valence Band Maximum)重合,无带隙。
图 3. 采用PBE交换关联泛函和非自旋极化得到的二维nanoribbon的能带图,可以看出费米面附近CBM(Conduction Band Minimum)和VBM(Valence Band Maximum)重合,无带隙。
采用PBE交换关联泛函和自旋极化得到的二维nanoribbon的能带图。蓝色和红色代表自旋极化方向不同时对应的两副能带图像,可以看出不加电场时,两个自旋方向的能带图几乎一样,都有带隙。
图 4. 采用PBE交换关联泛函和自旋极化得到的二维nanoribbon的能带图。蓝色和红色代表自旋极化方向不同时对应的两副能带图像,可以看出不加电场时,两个自旋方向的能带图几乎一样,都有带隙。
采用PBE交换关联泛函和自旋极化,再给体系加上0.1 V/Å的电场得到的二维nanoribbon的能带图。蓝色和红色代表自旋极化方向不同时对应的两副能带图像,可以看出加了能带之后,其中一个自旋方向的能带图出现费米面附近的交叠,呈现金属性质,另外一个自旋方向的能带图依旧保持在费米面处的能隙。
图 5. 采用PBE交换关联泛函和自旋极化,再给体系加上0.1 V/Å的电场得到的二维nanoribbon的能带图。蓝色和红色代表自旋极化方向不同时对应的两副能带图像,可以看出加了能带之后,其中一个自旋方向的能带图出现费米面附近的交叠,呈现金属性质,另外一个自旋方向的能带图依旧保持在费米面处的能隙。

五、参考文献

[1] Phys. Rev. B 59, 12301 (1999), https://doi.org/10.1103/PhysRevB.59.12301

[2] Nature 444, 347–349 (2006), https://doi.org/10.1038/nature05180

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